北京时间 12 月 6 日消息，据国外媒体报道，三星周二表示，由于智能手机和平板电脑热销将拉动明年闪存芯片市场增长，该公司将投资约 40 亿美元在中国建设一座闪存芯片工厂。

　　如果得到批准，这将是三星在韩国本土之外的第二家芯片制造厂，也反映了中国市场日趋提高的重要性。三星还计划在中国建设一个平板显示屏生产基地。

　　三星内存业务部门总裁 Jun Dong-soo 在一份声明中说，新工厂“将使我们能满足客户快速增长的需求，同时强化我们在内存芯片产业的总体竞争力”。三星称，该公司预计新芯片工厂将于 2013 年投产。

　　市场研究公司 DRAMeXchange 预测，明年全球 NAND 闪存芯片市场将增长 20% 至 260 亿美元。

　　新韩投资公司分析师 Kim Young-chan 说，“随着收入水平不断增长，中国将超过美国成为第一大电子产品市场。”

　　三星称，该公司尚未确定新工厂的厂址和精确的投资金额。Kim 估计投资金额将在 4 万亿韩元(约合 35 亿美元)至 5 万亿韩元(约合 44 亿美元)之间。

　　外界普遍认为，三星新的闪存芯片工厂将满足华为、中兴等中国厂商的闪存芯片需求。三星新建设的闪存芯片工厂将采用先进的 20 纳米级工艺。

　　三星称，该公司已经向韩国政府提出建设新闪存芯片工厂的申请。

　　三星在全球 NAND 闪存芯片市场上的份额约为 40%，竞争对手包括东芝、Hynix 和美光。(阳光)